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  • MEMS形貌測量

    測量要求
    掃描MEMS芯片表面三維形貌,提取profile測量其上表面刻蝕的一些段差

     

    主要特點概覽
    1.非接觸式測量,一體化設計

    2.三維形貌掃描,多功能數據處理
    3.適用于各種材料的精確測量

    4.使用簡單,裝拆方便

    5.掃描速度快,定位精度高

    6.±0.5到±1μm重復精度保證

    7.穩定性高,抗干擾能力強

     

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    測量結果
    上表面刻蝕的段差高度約為300μm左右

     

    解決現階段測量裝置存在的問題

    1.對測量材料有一定要求
    2.接觸式測量,對測量材料有損壞
    3.測量范圍小,位置不確定,測定困難
    4.測量速度慢、精度低,測量誤差大

     

    5.結構復雜,成本高

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全部分類
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